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RFSW6032SR相关型号

  • QPD2796

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V

  • QPD1823

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V

  • QPD2793

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.62-2.69GHz GaN 200W 48V

  • QPD1025

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 1-1.1GHz 1800 Watt Gain 22.5dB 65V GaN

  • QPD3601

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 3.4-3.6GHz 50V 180 Watt GaN

  • QPD1019

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 2.7 - 3.1 GHz, GaN RF IMFET

  • QPD1017

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, 3.1 - 3.5 GHz, GaN RF IMFET

  • QPQ1907SR

    信号调节 Coexist BAW FILTER

Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • RFSW6032SR

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：RF 开关 IC 5-6000MHz SP3T
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:RF 开关 IC
  • RoHS:是
  • 开关数量:Single
  • 开关配置:SP3T
  • 工作频率:5 MHz to 6000 MHz
  • 介入损耗:1.2 dB
  • 关闭隔离—典型值:15 dB
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:QFN-12
  • 封装:Reel
  • 商标:Qorvo
  • 运行时间—最大值:20 us
  • 开发套件:RFSW6023PCK-410
  • 高控制电压:1.3 V to 2.7 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 湿度敏感性:Yes
  • 工作电源电流:65 uA
  • 产品类型:RF Switch ICs
  • 工厂包装数量:100
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 电源电压-最大:5.5 V
  • 电源电压-最小:3 V
  • 零件号别名:RFSW6032

其它信息

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