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RFFM4551TR7相关型号
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    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB

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  • QPD2731SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty

  • QPD2194SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

  • QPD2195SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

  • QPD2796

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V

  • QPD1823

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V

Qorvo热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • RFFM4551TR7

  • 制造商:Qorvo
  • 批号:19+
  • 描述:射频前端 4.9-5.925GHz FEM WiFi 802.11a/n/ac
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频前端
  • RoHS:
  • 类型:802.11 a/n/ac WLAN
  • 工作频率:4.9 GHz to 5.925 GHz
  • NF—噪声系数:2.5 dB
  • 工作电源电压:3.3 V
  • 工作电源电流:290 mA
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • 最大数据速率:-
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:QFN-16
  • 封装:Reel
  • 商标:Qorvo
  • 增益:31 dB, 30 dB, 14 dB
  • 开发套件:RFFM4551PCK-410
  • 最小工作温度:- 40 C
  • P1dB - 压缩点:- 5 dBm, 20 dBm
  • 产品类型:RF Front End
  • 工厂包装数量:2500
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 零件号别名:RFFM4551

其它信息

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