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Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TGF2957

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 70W 32V GaN P3dB @ 3GHz 48.6dBm
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • 发货限制：Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:19.2 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:32 V
  • Id-连续漏极电流:4.2 A
  • 输出功率:48.6 dBm
  • 最大漏极/栅极电压:100 V
  • 最小工作温度:- 65 C
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • Pd-功率耗散:68 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:Die
  • 封装:Gel Pack
  • 配置:Single
  • 工作频率:15 GHz
  • 工作温度范围:- 65 C to + 150 C
  • 商标:Qorvo
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:50
  • 子类别:Transistors
  • 零件号别名:1112250

其它信息

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