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TGL2223-SM相关型号

  • TGF3020-SM

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 4-6GHz 5W 32Volt P3dB 38.4 dBm GaN

  • TGF3015-SM

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 .03-3GHz Gain 17dB P3dB 9.3W@2.4GHz GaN

  • T2G6000528-Q3 28V

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 10 Watt 28V GaN

  • T2G6001528-SG

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 15 Watt 28V GaN

  • T2G4003532-FS

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN

  • T2G4003532-FL

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 35 Watt 32 Volt GaN

  • T1G4004532-FL

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB

  • TGF2929-FL

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V GaN

Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • TGL2223-SM

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：衰减器 1-31GHz 5Bit LSB.5dB Atten. Range 15.5dB
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:衰减器
  • RoHS:是
  • 封装 / 箱体:QFN-14
  • 最大衰减:15.5 dB
  • 最大频率:31 GHz
  • 位数:5 bit
  • 通道数量:1 Channel
  • 最大 VSWR:-
  • 衰减器步长:0.5 dB
  • 最大工作温度:+ 150 C
  • 高度:3 mm
  • 长度:3 mm
  • 封装:Waffle
  • 功率额定值:30 dBm
  • 类型:Digital Attenuator
  • 宽度:1.45 mm
  • 商标:Qorvo
  • 介入损耗:4.5 dB
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 最小频率:0.1 GHz
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:Attenuators
  • 工厂包装数量:100
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 零件号别名:1118392
  • 单位重量:32.200 mg

其它信息

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