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QPD1008L相关型号

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Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD1008L

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.2GHz 120W 50V SSG 17.5dB GaN
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:17.5 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:50 V
  • Vgs-栅源极击穿电压 :145 V
  • Id-连续漏极电流:4 A
  • 输出功率:162 W
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • Pd-功率耗散:127 W
  • 安装风格:Screw Mount
  • 封装 / 箱体:NI-360
  • 封装:Tray
  • 配置:Single
  • 工作频率:3.2 GHz
  • 工作温度范围:- 40 C to + 85 C
  • 系列:QPD
  • 商标:Qorvo
  • 开发套件:QPD1008LPCB401
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:25
  • 子类别:Transistors
  • Vgs th-栅源极阈值电压:- 2.8 V

其它信息

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