专注IC现货,您所值得信赖的IC供应商!欢迎联系我们获取IC报价,无最低订购数量、最快当天发 快速询价热线:0755-82552228

当前位置:  Qorvo  >>  Qorvo相关型号  >>  QPD1013SR详细信息

QPD1013SR相关型号
  • TGF2018

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF 1dB P1dB 22dBm

  • TGF2025

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz Gain 14dB NF .9dB P1dB 24dBm

  • TGF2060

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-20GHz NF 1.4dB Gain 12dB P1dB 28dBm

  • TGF3021-SM

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 TGF3021-SM, 25W CW DC-3GHz 32V GaN Trans

  • T1G4004532-FS

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-35.GHz GaN 45w 32v Gain >19dB

  • TGF2023-2-02

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-18GHZ 12W TQGaN25 PAE 73.3% Gain 21dB

  • TGF2965-SM

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 30MHZ-3GHz 5W 50 Ohm Gain 18dB@2GHz 32V

  • T2G6001528-Q3

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-6.0GHz 18 Watt 28V GaN

Qorvo热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • QPD1013SR

  • 制造商:Qorvo
  • 批号:19+
  • 描述:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-2.7GHz 150W PAE 64.8%
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,QPD1013SR的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

购买、咨询产品请填写询价信息
询价型号*数量*批号封装品牌其它要求
请确认联系方式,3分钟内即可给您回复
  • *姓名:
  • *电话:
  • Q Q:
  • *邮箱:

详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • RoHS:
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:21.8 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Id-连续漏极电流:1.7 A
  • 输出功率:178 W
  • 最大漏极/栅极电压:65 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • Pd-功率耗散:67 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:DFN-6
  • 封装:Cut Tape
  • 封装:MouseReel
  • 封装:Reel
  • 应用:Military Radar, Jammers,Test Instrumentation,Wideband or Narrowband Amplifiers,Land Mobile and Military Radio Communications
  • 配置:Single Triple Drain
  • 工作频率:1.2 GHz to 2.7 GHz
  • 商标:Qorvo
  • 开发套件:QPD1013EVB01
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:100
  • 子类别:Transistors

其它信息

一级代理商,大小批量出货,欢迎来询

Qorvo的长期订单优势货源:随时现货+极具竞争力的价格 是以终端使用(制造工厂、大专院校、研究院所)为主要客户

我们一直持续专注
现货极具优势
无起订量限制
极速报价出货
0755-82552228
13715289436
QQ询价
微信询价
绝对原装正品