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QPD1016相关型号

  • TGA3504-SM

    射频放大器 2-30GHz Gain 11.5dB p!dB 8dBm GaAs

  • TQP9107-PCB

    射频放大器 824-849MHz Eval Board

  • TQP9224TR13

    射频放大器 2.-2.4GHz .25Watt Gain 38dB

  • TAT8804D1H

    射频放大器 50-1000MHz 75Ohm 12V Gain 21dB GaAS

  • TGA2814

    射频放大器 GaN 3.1-3.6GHz 80W Gain 25dB PAE 56%

  • TGF2929-HM

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-3.5GHz 100W 28V Gain 17.4dB GaN

  • TGF2977-SM

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 8-12GHz 5W GaN PAE 50% Gain 13dB

  • TGF2934

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-25GHz 14Watt NF 1.5dB GaN

Qorvo热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • QPD1016

  • 制造商：Qorvo
  • 批号：19+
  • 描述：射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 500 Watt, 50 Volt, DC-1.7 GHz, GaN RF Transistor
  • PDF下载：pdf下载
  • 库存数量：2000+

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管
  • RoHS:是
  • 晶体管类型:HEMT
  • 技术:GaN SiC
  • 增益:23.9 dB
  • 晶体管极性:N-Channel
  • Vds-漏源极击穿电压:145 V
  • Vgs-栅源极击穿电压 :- 7 V to 1.5 V
  • Id-连续漏极电流:70 A
  • 输出功率:680 W
  • 最大漏极/栅极电压:55 V
  • 最小工作温度:- 40 C
  • 最大工作温度:+ 85 C
  • Pd-功率耗散:714 W
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 封装 / 箱体:NI780-2
  • 配置:Single
  • 工作频率:DC to 1.7 GHz
  • 商标:Qorvo
  • 开发套件:QPD1016EVB01
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:RF JFET Transistors
  • 工厂包装数量:25
  • 子类别:Transistors

其它信息

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