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TGL2616-SM相关型号
  • QPD1022SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 DC-12GHz 10W 32V GaN

  • QPD1020SR

    射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB

  • QPD1881L

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 Watt, 50 Volt, 2.7-2.9 GHz, GaN RF Transistor

  • QPD2731SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 110/200 Watt, 48 Volt, 2.5-2.7 GHz, GaN Asymmetric Doherty

  • QPD2194SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 300 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

  • QPD2195SR

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 400 W, 48 V, 1.8-2.2 GHz GaN RF Power Transistor

  • QPD2796

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 2.5-2.7GHz GaN 200W 48V

  • QPD1823

    射频结栅场效应晶体管(RF JFET)晶体管 1.8-2.4GHz GaN 220W 48V

Qorvo热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • TGL2616-SM

  • 制造商:Qorvo
  • 批号:19+
  • 描述:衰减器 10-20GHz 5 Bit LSB .75dB
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,TGL2616-SM的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 制造商:Qorvo
  • 产品种类:衰减器
  • RoHS:是
  • 封装 / 箱体:QFN-25
  • 最大衰减:23.25 dB
  • 最大频率:20 GHz
  • 位数:5 bit
  • 通道数量:1 Channel
  • 最大 VSWR:-
  • 衰减器步长:0.75 dB
  • 高度:1.45 mm
  • 长度:4 mm
  • 封装:Waffle
  • 功率额定值:35 dBm
  • 技术:GaAs
  • 类型:Digital Attenuator
  • 宽度:4 mm
  • 商标:Qorvo
  • 介入损耗:4.8 dB
  • 安装风格:SMD/SMT
  • 最小频率:10 GHz
  • 湿度敏感性:Yes
  • 产品类型:Attenuators
  • 工厂包装数量:100
  • 子类别:Wireless & RF Integrated Circuits
  • 零件号别名:11133265

其它信息

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